electron mobility nghĩa là gì

• • (Tech) tính di động điện tử
  
  
  Từ điển kỹ thuật
  • độ linh động điện tử

  Cụm từ

  • high electron mobility transistor (HEMT)
    tranzito độ linh động electron cao

• electron     [i'lektrɔn] danh từ Electron, điện tử electron (Tech)...
• mobility     [mou'biliti] danh từ tính chuyển động, tính di động; tính lưu động...

• High electron mobility transistor (HEMT)
  electron cao sự nhanh nhẹn transistor (HEMT)
• High electron mobility transistor [HEMT]
  electron cao sự nhanh nhẹn transistor (HEMT)
• At room temperature, its electron mobility can be as high as 20000 cm2/(V·s).
  Ở nhiệt độ phòng, điện tử di động của nó có thể cao đến 20000cm2 / (V · s).
• At room temperature, its electron mobility can be as high as 20000cm2 / (V · s).
  Ở nhiệt độ phòng, điện tử di động của nó có thể cao đến 20000cm2 / (V · s).
• The inverse-staggered structure offers a relatively simple fabrication process and an electron mobility that is about 30 percent larger than that of the staggered type.
  Cấu trúc so le nghịch đảo cung cấp một quá trình tương đối đơn giản chế tạo và một di động điện tử là khoảng 30 phần trăm lớn hơn của các loại hình so le.
• The researchers have plans to try to go below 10-nm gate length, and also to use indium gallium arsenide nanowires because of the better electron mobility.
  Các nhà nghiên cứu hiện cũng có kế hoạch vươn tới mốc cổng dưới 10nm và sử dụng vật liệu Indium Gallium Arsenide làm sợi nano do đặc tính di chuyển linh hoạt hơn của các electron.
• Electron mobility can happily reach 30cm²/V·sec, around the speed of IGZO, and has been demonstrated reaching 80cm²/V·sec, which is almost as high as LTPS.
  Mật độ electron di động có thể dễ dàng đạt đến 30cm2/V•sec, tương đương với tốc độ của IGZO và đã được chứng minh có thể đạt đến 80cm²/V•sec, hầu như tương đương với LTPS.
• Electron mobility can happily reach 30cm²/V·sec, around the speed of IGZO, and has been demonstrated reaching 80cm²/V·sec, which is almost as high as LTPS.
  Mật độ electron di động có thể dễ dàng đạt đến 30cm2/V•sec, tương đương với tốc độ của IGZO và đã được chứng minh có thể đạt đến 80 cm²/V•sec, hầu như tương đương với LTPS.
• LTPS also has higher electron mobility, which, as the name suggests, is an indication of how quickly/easily an electron can move through the transistor, with up to 100 times greater mobility than a-Si.
  LTPS cũng có mật độ các điện tử (electron) di động cao hơn, là chỉ số cho thấy một electron có thể di chuyển qua transistor nhanh và dễ dàng như thế nào, với độ di động gấp 100 lần so với a-Si.
• Nearly all TFT LCDs are made from a-Si because of the technology's economy and maturity, but the electron mobility of a p-Si TFT is one or two orders of magnitude greater than that of an a-Si TFT.
  Gần như tất cả TFT màn hình LCD được làm từ một Si vì công nghệ$ $$ s kinh tế và trưởng thành, nhưng vận động điện tử của một p-Si TFT là một hoặc hai đơn đặt hàng của cường độ lớn hơn của một màn hình TFT một Si.